Comparativa sistemas de plasma
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Propiedades de las aplicaciones |
Plasma a baja presión | Plasma atmosférico | ||
| Ventajas | Desventajas | Ventajas | Desventajas | |
| Generación del plasma – Aspectos generales | El plasma se distribuye de manera uniforme dentro de la cámara de plasma. El volumen de la cámara puede variar de 2 a 12.000 litros. | Tecnología de vacío compleja. Las aplicaciones de plasma en línea son limitadas. | El tratamiento con plasma es posible directamente en la cinta transportadora. En línea es adecuado. No son necesarias las condiciones de vacío. | El área a tratar se limita a aproximadamente 8 - 12 mm(principio de generación de plasma. Se requieren másboquillas para tratar superficies más grandes. |
| Tratamiento de metales | Los objetos sensibles a la oxidación pueden ser tratados con plasma (por ejemplo, con H2 como gas de proceso). | El plasma de microondas puede transferir energía al objeto y sobrecalentarlo. Los generadores a KHz no causan sobrecalentamiento. | Cuando el aluminio se trata con plasma, se pueden formar capas de óxido muy finas (de pasivación). | El tratamiento con plasma de objetos sensibles a la oxidación es limitada. |
| Tratamiento de polímeros y eslastómeros | PTFE puede ser activado con plasma (proceso de etching o ataque químico) Se han desarrollado y están en uso procesos de plasma avanzados para juntas de elastómero y PTFE. | Para algunos materiales (por ejemplo, silicio) se requiere de una bomba de vacío más grande para alcanzar presión necesaria. | "Objetos sin fin" (por ejemplo, tubos o cables) pueden ser tratadas con plasma. Tiempos de proceso muy cortos. | El chorro de plasma alcanza una temperatura de 200 a 300°C. Los parámetros del proceso tienen que estar bien alineados a la superficie para evitar que se queme el material (materiales finos). |
| Objetos en 3-D | Todos los artículos en la cámara de plasma se tratan de manera uniforme. También se puede tratar el interior de las cavidades (por ejemplo, tanques de agua, bobinas de encendido). | No se conocen. | Pueden seleccionarse áreas parciales para el tratamiento (por ejemplo, ranuras o bordes). | Requiere de tecnología robótica compleja. El tratamiento de las superficies con surcos profundos es limitado. |
| Materiales en grandes cantidades | El tambor rotatorio posibilita el tratamiento con plasma de forma uniforme. Pueden variar las cantidades y los volúmenes a tratar. | Sólo puede aprovecharse un tercio del volumen total del tambor. | Las muestras pueden tratarse directamente en la cinta transportadora. | El posicionamiento de las muestras en la cinta tiene que ser muy preciso. |
| Componentes electrónicos y semiconductores | Los tratamientos por plasma de dispositivos electrónicos, circuitos impresos y semiconductores se encuentran dentro de los procesos de última generación y están muy extendidos en estas industrias. | No se conocen. | Los tratamientos por plasma eliminan el óxido de superficies metálicas o de indio y estaño, quedando las muestras listas para su adhesión o soldado (por ejemplo, fabricación de chips, LCD y TFT). | Las altas temperaturas que alcanza el chorro de plasma y la dificultad para tratar superficies con ranuras profundas limitan el uso de los equipos de tratamiento por plasma atmosférico en la industria electrónica. |
| Procesos de recubrimiento | Las capas depositadas tienen todas el mismo grosor y presentan una distribución uniforme. Con esta técnica se han desarrollado múltiples procesos de deposición en fase vapor y deposición química en fase vapor. | La cámara puede contaminarse del material de recubrimiento. | Aún no hay usos industriales para esta técnica. | Aún no hay usos industriales para esta técnica. |
